Осаждение поликристаллических алмазных пленок

Задать вопрос
Введите код

Назначение

Нанесение упрочняющих покрытий на обрабатывающий инструмент, создание высокоэффективных теплоотводов для микроэлектроники, выводные окна мощных ИК лазеров и гиротронов, коррозионностойкие электрохимические электроды, биосовместимые покрытия и т.д.

Текущая стадия

Отработана технология осаждения алмаза из плазмы тлеющего разряда на такие материалы как Mo, Si, SiC, WC-Co, W.

Резюме

В настоящее время существующие методы осаждения алмазных пленок характеризуются либо низкой скоростью осаждения (≤ 1 мкм), либо очень высокой стоимостью оборудования и как следствие конечного продукта. Разработанная в ТПУ технология, основанная на осаждении алмаза из плазмы тлеющего разряда, позволит существенно снизить стоимость затрат на оборудование. Этот метод позволяет осаждать алмазные пленки со скоростью до 7 мкм/ч, что дает возможность сократить время нанесения покрытия.

Разработанная разрядная система может служить основой для разработки высокопроизводительного оборудования для использования в технологии промышленного осаждения алмазных покрытий.